新型半导体异质集成和器件构筑
廖蕾教授 湖南大学物理与微电子科学学院
报告摘要：
晶体管是现代信息技术中最重要的发明之一，是所有现代电路的关键主动元件。一直以来，晶体管沿着摩尔定律的方向不断发展，缩小器件特征尺寸，增快器件开关速度。但是随着晶体管的沟道长度缩短至10纳米，短沟道效应和量子限域效应带来的影响已经不能忽略，沟道长度缩短与器件性能提升不能完全对应。因此为了保持晶体管的继续发展和克服短沟道效应带来的影响，对半导体材料的质量要求越来越高，厚度要求越来越薄。二维半导体材料成为克服短沟道效应的潜在候选之一。 报告将介绍二维半导体的异质集成与器件构筑；采用范德华异质集成和超薄缓冲层方法，抑制传统沉积技术产生的缺陷，降低栅介质/二维材料的界面缺陷密度，削弱金属/二维材料的钉扎效应，获得了高质量的器件界面。上述工作为二维半导体器件设计与构建提供了新的思路。
报告人介绍：
廖蕾教授，湖南大学二级教授, 研究生院副院长，中组部青年拔尖人才和国家杰出青年基金获得者。2004年，获武汉大学物理学院材料物理专业学士学位；2009年，获武汉大学材料物理与化学专业博士学位。其间，在中国科学院物理研究所联合培养，后赴新加坡南洋理工大学开展合作研究。2009年至2011年，在加州大学洛杉矶分校进行博士后工作。2011年7月份至2016年12月在武汉大学物理学院工作，2017年1月加入湖南大学。以第一/通讯作者在Nature、Nature Commun.、PNAS、Nano Lett.和Adv. Mater.等学术期刊发表SCI论文100多篇。H因子61，他引10000多次。
